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MBR1090CT, MBR10100CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89125
Revision: 26-Apr-10
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3
Figure 3. Forward Power Loss Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Reverse Characteristics Per Diode
01 562
34
4.0
3.5
3.0
2.5
1.0
0.5
0
2.0
1.5
Average Forward Current (A)
A
v
erage Po
w
er Loss (
W
)
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.8
D = 0.5
D = 1.0
D = tp/T tp
T
0 0.2 1.60.4
0.6 0.8
1.0 1.2 1.4
100
10
0.1
1
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 100 °C
TA
= 25 °C
0.01
0.001
0.1
1
10
100
0.0001
0 10020
40 60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 100 °C
TA
= 25 °C
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
1 10010
100
1000
10 000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
0.01
10 100
1
10
0.1
0.1
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
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